[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202180003767.8 | 申请日： | 2021-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN113924655B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 何川;蒲小庆;郝荣晖;章晋汉;黄敬源 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 林祥 |
| 地址： | 215211 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括第一和第二氮基半导体层、栅极电极、第一和第二场板以及第一介电层。第一场板设置在第二氮基半导体层上方。第二场板是不连续的，并且设置在第二氮基半导体层上方，并且位于高于第一场板的位置。第二场板包括其不连续区域中的一个或多个封闭不连续。第一介电层设置在第二场板上方。第一介电层覆盖并贯穿不连续区域中的第二不连续场板，使得第二场板在其一个或多个封闭的不连续轮廓内围绕第一介电层的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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