[发明专利]用于改变晶圆弯曲的方法和结构在审
| 申请号： | 202180004160.1 | 申请日： | 2021-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN114207786A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 李劲昊;涂飞飞;侯潇;邓先春 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L27/11556;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本公开的一方面，提供了一种控制衬底的弯曲的方法。在该方法中，提供在其上形成电介质层的衬底。衬底具有相对于参考平面的弯曲。通过对衬底执行退火工艺来调整衬底的弯曲。退火工艺包括第一工艺条件和第二工艺条件的其中之一。第一工艺条件在衬底上引起拉伸应力以使衬底相对于参考平面向上弯曲。第二工艺条件在衬底上引起压缩应力以使衬底相对于参考平面向下弯曲。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改变 弯曲 方法 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
