[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202180004493.4 | 申请日： | 2021-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN114270533A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 赵起越;石瑜 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 215211 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件，包括第一和第二氮基半导体层、第一和第二电极、第一和第二栅极电极、第一和第二钝化层以及导电层。第一钝化层具有被第一场板的第一端部覆盖的第一部分和未被第一场板覆盖的第二部分。第二钝化层具有被导电层覆盖的第一部分和未被导电层覆盖的第二部分。第一钝化层的第一部分和第二部分之间的厚度差小于第二钝化层的第一部分和第二部分之间的厚度差。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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