[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法及具备半导体装置的电力变换装置在审
| 申请号： | 202180005055.X | 申请日： | 2021-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN114303246A | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 加藤由晴;樱井洋辅;野口晴司;吉村尚 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 包跃华;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提供一种半导体装置，其具备：设置有漂移区的半导体基板；配置于漂移区与下表面之间，并且掺杂浓度分布具有3个以上的浓度峰的缓冲区；以及配置于缓冲区与下表面之间的集电区，缓冲区中的3个以上的浓度峰包括：第一浓度峰，距离下表面最近；第二浓度峰，以仅次于第一浓度峰的方式接近下表面，且被配置为在深度方向上距离下表面为5μm以上，第二浓度峰的掺杂浓度比第一浓度峰的掺杂浓度低且第二浓度峰的掺杂浓度小于1.0×10 |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 具备 电力 变换 | ||
【主权项】：
暂无信息
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