[发明专利]单片化方法有效
| 申请号： | 202180005345.4 | 申请日： | 2021-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN114424323B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 原田刚史;太田博昭;松岛芳宏 | 申请（专利权）人： | 新唐科技日本株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吕文卓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种单片化方法，依次包括：在晶片(100)的上表面形成表面保持膜(50)的工序；将晶片(100)的下表面减薄加工以使晶片(100)的厚度成为30μm以下的工序；从晶片(100)的上表面将表面保持膜(50)除去的工序；在晶片(100)的下表面依次形成第1金属层(30A)和第2金属层(30B)的工序；向第2金属层(30B)的下表面粘贴切割带(52)的工序；对晶片(100)的上表面实施提高晶片(100)的表面的亲水性的处理的工序；在晶片(100)的表面形成水溶性保护层(51)的工序；向晶片(100)的上表面的规定区域照射激光而将晶片(100)、第1金属层(30A)和第2金属层(30B)切断的工序；以及从晶片(100)的表面使用清洗用水将水溶性保护层(51)除去的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
