[发明专利]研磨液、研磨液组及研磨方法在审
| 申请号： | 202180005850.9 | 申请日： | 2021-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN115039203A | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 久木田友美;岩野友洋;长谷川智康 | 申请（专利权）人： | 昭和电工材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人： | 杜娟 |
| 地址： | 日本国东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
一种研磨液，其含有磨粒、选自由羟基酸及其盐组成的组中的至少一种羟基酸成分及化合物Z，化合物Z具有可以被取代的烃基及聚氧亚烷基，由下述通式(1)表示的Z值为20以上。Z＝0.1×a |
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| 搜索关键词： | 研磨 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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