[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202180007451.6 | 申请日： | 2021-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN114902425A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 石川隆正;八尾典明 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/8234;H01L27/06;H01L29/06;H01L29/739;H01L21/336;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周爽;周春燕 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，半导体基板的缓冲区具有：多个氢化学浓度峰，其配置在半导体基板的深度方向上的不同位置；多个掺杂浓度峰，其配置在与多个氢化学浓度峰对应的位置；以及高浓度区，其设置在最深氢化学浓度峰与漂移区之间，高浓度区的深度方向上的掺杂浓度分布具有斜坡，该斜坡与漂移区接触，并且掺杂浓度朝向漂移区逐渐地减小，斜坡包括向上凸起的部分，在以直线的方式对斜坡的斜率进行拟合而得的拟合浓度直线上，在将最深掺杂浓度峰的深度位置处的浓度设为最浅参考浓度的情况下，最浅掺杂浓度峰的掺杂浓度为最浅参考浓度的5％以上且50％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社，未经富士电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202180007451.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于检查电池膨胀的设备和方法
- 下一篇：可再充电电池
- 同类专利
- 专利分类
