[发明专利]在CVD系统中使用低蒸气压金属有机前体形成单晶压电层的设备和使用该设备形成单晶压电层的方法

摘要

一种用于形成半导体膜的设备包括水平流反应器，该水平流反应器包括上部和下部，该上部和下部可移动地彼此耦接以在打开位置中彼此分离，并且以在闭合位置中配合在一起以形成反应器腔室。中央注入器柱可以穿透水平流反应器的上部进入到反应器腔室中，中央注入器柱被配置成在闭合位置中允许金属有机前体进入到反应器腔室中。加热的金属有机前体管线可以耦接到中央注入器柱并且被配置成将包含在中央注入器柱上游的加热的金属有机前体管线中的低蒸气压金属有机前体蒸气加热到约70摄氏度至200摄氏度的温度范围。