[发明专利]多层膜和成像元件在审
| 申请号： | 202180008197.1 | 申请日： | 2021-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN114930205A | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 关口浩司;村田贤一;汤川富之;定荣正大;富樫秀晃 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | G02B5/28 | 分类号： | G02B5/28;G02B1/113;G02B5/22;H01L27/146;H04N5/33;H04N5/369;H04N9/07 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 梁兴龙;姚鹏 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本公开一个实施方案的多层膜通过交替层叠介电层和半导体层而获得，在所述半导体层中，在用作作为复折射率之虚部的消光系数的光学常数k之中，对于波长在可见光区域的光的光学常数k1的值大于对于波长在红外光区域的光的光学常数k2的值，所述多层膜在层叠方向上的光学距离为0.3μm～10μm、吸收可见光的至少一部分并且透过红外光。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 成像 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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