[发明专利]制造具有改进的切割特性的半导体结构的方法在审
| 申请号： | 202180008344.5 | 申请日： | 2021-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN114930558A | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 弗雷德里克·瓦龙;布里吉特·苏利耶;中川博 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L21/02;H01L21/784 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 魏亚茹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种制造半导体结构的方法。该方法包括：在晶片上形成第一金属层；在第一金属层上形成第二金属层；在第二金属层的位于晶片的电路区域上方的第一区域中形成第一多孔结构，并且在第二金属层的位于晶片的切割区域上方的第二区域中形成第二多孔结构，其中，第一多孔结构包括第一组孔，并且其中，第二多孔结构包括第二组孔；在第一多孔结构的第一组孔中形成金属‑绝缘体‑金属叠层；以及蚀刻第二多孔结构的第二组孔蚀刻以暴露硅晶片的切割区域。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 改进 切割 特性 半导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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