[发明专利]包括用于增加LED的接触表面积的3D结构的装置在审
| 申请号： | 202180009220.9 | 申请日： | 2021-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN115152025A | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔·布赖斯·汤普森 | 申请（专利权）人： | 元平台技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 韩辉峰;杨明钊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文公开了一种包括第一三维(3D)结构(1050)和第二3D结构(1055)的装置(LED阵列1000)。第一3D结构可以包括具有半极性刻面的第一型掺杂半导体材料(1020)。第二3D结构可以形成发光二极管(LED)。第二3D结构可以包括第二型掺杂半导体材料、有源层和第一型掺杂半导体材料(1020)。该装置还可以包括导电层(1090)，该导电层至少部分地覆盖第一型掺杂半导体材料(1020)的半极性刻面并与该半极性刻面欧姆接触。第一3D结构的第一型掺杂半导体材料和第二3D结构(1055)的第一型掺杂半导体材料可以从公共的第一型掺杂半导体外延层蚀刻。在一些实施例中，第一型掺杂半导体材料可以包括N型掺杂半导体材料，并且第二型掺杂半导体材料可以包括P型掺杂半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 用于 增加 led 接触 表面积 结构 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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