[发明专利]半导体元件和半导体装置在审
| 申请号： | 202180013173.5 | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN115053355A | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 松原佑典;今藤修;安藤裕之;竹原秀树;四户孝;冲川满 | 申请（专利权）人： | 株式会社FLOSFIA |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/28;H01L29/06;H01L29/24;H01L29/47;H01L29/786;H01L21/336;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 刁兴利;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种半导体特性及散热性优异的半导体元件及半导体装置。一种半导体元件，包含层叠结构体，该层叠结构体通过在导电性基板上直接或隔着其他层层叠有氧化物半导体膜而成，所述氧化物半导体膜包括含有镓的氧化物作为主成分，所述导电性基板具有比所述氧化物半导体膜大的面积，所述半导体装置通过所述半导体元件与引线框、电路基板或散热基板利用接合部件接合而成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社FLOSFIA，未经株式会社FLOSFIA许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202180013173.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：相对发送点波束配置信息
- 下一篇：汽缸停用时发动机操作的排气温度控制
- 同类专利
- 专利分类
