[发明专利]光检测元件及图像传感器在审
| 申请号： | 202180013673.9 | 申请日： | 2021-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN115104189A | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 高田真宏;小野雅司 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 薛海蛟 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光检测元件，其具有：光电转换层，包含含有金属原子的半导体量子点QD1的集合体及与半导体量子点QD1配位的配体L1；及空穴传输层，配置于光电转换层上且包含含有金属原子的半导体量子点QD2的集合体及与半导体量子点QD2配位的配体L2，半导体量子点QD2的带隙Eg2大于半导体量子点QD1的带隙Eg1，且半导体量子点QD2的带隙Eg2与半导体量子点QD1的带隙Eg1之差为0.10eV以上。本发明也提供一种包含光检测元件的图像传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 元件 图像传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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