[发明专利]高分辨率单体式RGB阵列在审
| 申请号： | 202180015481.1 | 申请日： | 2021-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN115176347A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 安德烈亚·皮诺斯;西蒙·阿什顿;喻翔;乔纳森·希普 | 申请（专利权）人： | 普列斯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/24 | 分类号： | H01L33/24;H01L33/38;H01L33/40;H01L27/15;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 唐述灿 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种发光二极管结构，其包括p型区域和n型区域；以及发光区域，用于可由所述p型区域和所述n型区域注入的载流子的复合，其中，所述n型区域和所述p型区域中的至少一个至少部分地形成在穿过所述发光区域的通孔中，其中，所述通孔定义了至少一个像素的发光表面的边界。 | ||
| 搜索关键词： | 高分辨率 体式 rgb 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
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