[发明专利]低损耗高效率光子移相器在审
申请号: | 202180015613.0 | 申请日: | 2021-01-27 |
公开(公告)号: | CN115151849A | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | N·库马 | 申请(专利权)人: | 普赛昆腾公司 |
主分类号: | G02B6/12 | 分类号: | G02B6/12;G02F1/025;G02F1/035;G02F1/225;G02F1/01;G02F1/313 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 汪晶晶 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 所公开的光子设备包括第一包覆层、包括耦合到第一介电部分的第一引线的第一电触件、包括耦合到第二介电部分的第二引线的第二电触件、包括包含第一材料的平板层的波导结构,以及第二包覆层。平板层可以耦合到第一电触件的第一介电部分和第二电触件的第二介电部分。第一介电部分和第二介电部分的介电常数可以大于第一材料的介电常数。 | ||
搜索关键词: | 损耗 高效率 光子 移相器 | ||
【主权项】:
暂无信息
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