[发明专利]存储器单元和存储器单元阵列在审
| 申请号： | 202180017026.5 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN115191028A | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 冈干生;山口一树;木野将志;土井崇成;盛一正成;渡边敬;笠原则一 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239;H01L49/00;H01L43/08;H01L27/105;H01L29/82 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的存储器单元阵列包括布置在第一方向和与第一方向不同的第二方向上的多个存储器单元11。存储器单元11中的每一个包括电阻可变型的非易失性存储器元件和电连接到非易失性存储器元件的选择晶体管TR。选择晶体管TR在半导体层60中提供的活性区域80中形成。活性区域80的至少一部分与在半导体层60中提供的元件隔离区域81接触。元件隔离区域的表面81位于比活性区域80的表面低的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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