[发明专利]使用隧穿电流的放大器偏置控制有效
| 申请号： | 202180019969.1 | 申请日： | 2021-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN115280671B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | A·马丁·马林森 | 申请（专利权）人： | 硅谷介入有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/187 | 分类号： | H03F3/187;H03F1/26;H03F3/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王伟楠;姚文杰 |
| 地址： | 加拿大不列*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了用于使用半导体晶体管中的量子栅极隧穿的已知现象来限定电荷耦合放大器的DC状态的装置和方法。其中隧穿电流为双极(通过对PMOS晶体管和NMOS晶体管进行配对)的第一级与具有受控共模电压的第二级结合，第二级可以用来控制第一级隧穿电流并从而控制输入端处的共模电压。这可以在不使用可能降低性能或功耗的附加元件的情况下完成，因为输入器件既处理输入信号又保持电路的DC工作点。该方法不仅可以有利地用于本文描述的电荷耦合放大器，而且可以有利地用于其他电容耦合电路例如电荷平衡模数转换器(ADC)和数模转换器(DAC)。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 电流 放大器 偏置 控制 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于硅谷介入有限公司，未经硅谷介入有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202180019969.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：制造用于二次电池的电极板的方法和用于二次电池的电极板
- 下一篇：元素分析装置
