[发明专利]具有低有效延迟的高容量存储器电路在审
| 申请号： | 202180025131.3 | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN115413367A | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | Y.C.金;R.S.切尔尼科夫;K.N.夸德;R.D.诺曼;颜天鸿;S.萨拉胡丁;E.哈拉里 | 申请（专利权）人： | 日升存储公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L25/065 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 胡琪 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 形成在第一半导体衬底上的第一电路与形成在第二存储器电路上的第二电路进行晶片键合，其中第一电路包括准易失性或非易失性存储器电路，第二存储器电路包括比准易失性或非易失性存储器电路具有更低读取延迟的快速存储器电路，以及逻辑电路。易失性和非易失性存储器电路可以包括静态随机存取存储器(SRAM)电路、动态随机存取存储器(DRAM)电路、嵌入式DRAM(eDRAM)电路、磁随机存取存储器(MRAM)电路、嵌入式MRAM(eMRAM)，或这些电路的任何适当组合。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 有效 延迟 容量 存储器 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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