[发明专利]磁控等离子体成膜装置在审
| 申请号： | 202180025338.0 | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN115398028A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 森地健太;齐藤正一朗 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;H01L21/3205;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 磁控溅射成膜装置(1)具备成膜辊(10)和磁体单元(18)。磁体单元(18)具备旋转靶(17)和磁体单元(18)。磁体单元(18)相邻地具备第1磁极部(21)和第2磁极部(22)。第1磁极部依次具有第1区域(23)、第2区域(24)、以及第2区域(24)。这些区域各自具有作为磁化方向的分解分量而得到的第1分量和第2分量中的至少一个。在第1区域(23)和第3区域(25)中，第1分量比第2分量大，它们是反向的。在第2区域(24)中，第1分量比第2分量小。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 装置 | ||
【主权项】：
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