[发明专利]二维光子晶体激光器在审
| 申请号： | 202180025967.3 | 申请日： | 2021-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN115398761A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 野田进;M·德佐萨;石崎贤司;国师渡;榎健太郎 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人京都大学;三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/18 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 二维光子晶体激光器(10)具备：基板(11)，其由n型半导体构成；p型包覆层(p型半导体层)(131)，其设置在基板(11)的上侧，由p型半导体构成；活性层(14)，其设置在p型包覆层(131)的上侧；二维光子晶体层(16)，其设置在活性层(14)的上侧，是在由n型半导体构成的板状的母材(161)中周期性地配置由折射率与母材(161)的折射率不同的材料构成的异折射率区域(162)而形成的；第一隧穿层(121)，其设置在基板(11)与p型包覆层(131)之间，由载流子密度比基板(11)的载流子密度高的n型半导体构成；第二隧穿层(122)，其以与第一隧穿层(121)接触的方式设置在第一隧穿层(121)与p型包覆层(131)之间，由载流子密度比所述p型半导体层的载流子密度高的p型半导体构成；第一电极(181)，其设置在基板(11)的下侧或基板(11)内；以及第二电极(182)，其设置在二维光子晶体层(16)的上侧。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 光子 晶体 激光器 | ||
【主权项】：
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