[发明专利]面内磁化膜、面内磁化膜多层结构、硬偏置层、磁阻效应元件和溅射靶

摘要

本发明提供能够在不进行加热成膜的情况下实现矫顽力Hc为2.00kOe以上且每单位面积的剩磁Mrt为2.00memu/cm2以上的磁性能的面内磁化膜。该面内磁化膜是作为磁阻效应元件(12)的硬偏置层(14)使用的面内磁化膜，其中，含有金属Co、金属Pt和氧化物，厚度为20nm以上且80nm以下，相对于该面内磁化膜的金属成分的合计，含有45原子％以上且80原子％以下的金属Co，含有20原子％以上且55原子％以下的金属Pt，相对于该面内磁化膜的整体，含有3体积％以上且25体积％以下的上述氧化物，该面内磁化膜的磁性晶粒的面内方向的平均粒径为15nm以上且30nm以下。