[发明专利]用于UV发射装置的掩埋接触层在审
| 申请号： | 202180032447.5 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN115552642A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | J.C.唐;C.T.李;G.托西;C.弗林;L.安德森;T.W.布雷;P.阿塔纳科维奇 | 申请（专利权）人： | 斯兰纳UV科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 曲莹 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一些实施方案中，一种发光结构包括分层半导体堆叠，所述分层半导体堆叠包括第一组掺杂层、第二层、定位在所述第一组掺杂层与所述第二层之间的发光层和通向所述第一组掺杂层的电接触件。所述第一组掺杂层可包括第一子层、第二子层和第三子层，其中所述第三子层邻近于所述发光层。通向所述第一组掺杂层的所述电接触件可被制造成通向所述第二子层。所述第一子层、所述第二子层和所述第三子层可以是n型掺杂的，并且所述第二子层的电导率可高于所述第一子层和所述第三子层的电导率。在一些情况下，所述第二子层与所述第一子层或所述第三子层相比可吸收更多的从所述发光层发射的光。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 uv 发射 装置 掩埋 接触 | ||
【主权项】：
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