[发明专利]电子设备在审
| 申请号： | 202180032569.4 | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN115516634A | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 纳土晋一郎 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;G02B5/30;G06V40/13;H01L27/32;H04N5/369;H05B33/02;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 梁兴龙;姚鹏 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种能够抑制装置内的内部反射光的影响的电子设备。根据本发明的电子设备，从一侧到另一侧顺次包括：第一偏光板，其使入射光成为直线偏光；第一1/4波长板，其慢轴与第一偏光板的吸收轴相差45度或135度；自发光元件层；第二1/4波长板，其慢轴与第一1/4波长板的慢轴在相同方向上；第二偏光板，其吸收轴与第一偏光板的吸收轴正交；和成像装置，其对经由第二偏光板的光进行成像。 | ||
| 搜索关键词： | 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
