[发明专利]半导体器件检查方法及半导体器件检查装置在审
| 申请号： | 202180032979.9 | 申请日： | 2021-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN115552261A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 茅根慎通;中村共则;嶋瀬朗;江浦茂 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | G01R31/319 | 分类号： | G01R31/319 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;梁策 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体检查装置(1)具备：测量器(7)，其在对半导体器件(S)供给电力的同时，测量与半导体器件(S)的电力的供给相对应的电特性；光扫描装置(13)，其对半导体器件(S)扫描以多个频率强度调制的光；锁定放大器(15)，其取得表示与光的扫描相对应的多个频率成分的电特性的特性信号；及检查装置(19)，其处理特性信号。检查装置(19)求得：反映了半导体器件(S)的第1层(L1)的电特性的扫描位置的特性信号、与反映了第2层(L2)的电特性的扫描位置的特性信号为规定的相位差的频率，并且以反映了第1层(L1)的电特性的扫描位置的特性信号的相位成分为基准，修正任意的扫描位置的特性信号的相位成分，输出在求得的频率的任意的扫描位置的特性信号的同相成分及正交成分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 检查 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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