[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202180036264.0 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN115668513A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 福岛圣;蟹谷裕也;柳田将志 | 申请（专利权）人： | 索尼集团公司;索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L29/812 | 分类号： | H01L29/812;H01L21/20;H01L21/28;H01L29/417;H01L21/336;H01L29/78;H01L21/338;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 沈丹阳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，其具备：包含第一氮化物半导体的势垒层；沟道层，包含第二氮化物半导体，同时在第一表面处与势垒层结合；包含n型氮化物半导体的再生长层，同时设置在从势垒层的第二表面延伸到深度比势垒层和沟道层之间的界面更深的区域中，所述第二表面在第一表面的反面；包含氮捕捉元素的空孔形成区域，同时设置在再生长层的区域中，所述区域位于比势垒层和沟道层之间的界面浅的深度处；源极或漏极，设置在再生长层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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