[发明专利]低电阻率触点和互连部在审
| 申请号： | 202180036710.8 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN115668480A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 拉伊汉·M·塔拉夫达尔;照健·史蒂文·黎;罗郑硕 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 利用导电材料填充特征的方法涉及在对介电表面几乎没有或没有损坏的情况下清洁金属表面，该特征包括金属和介电表面。在清洁之后，特征可暴露于一种或更多反应物，以在原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)工艺期间利用导电材料填充特征。沉积对金属表面可为选择性的或非选择性的。在一些实施方案中，经填充的特征是无阻挡物的，使得导电材料在没有中间阻挡层或粘附层的情况下直接接触金属和介电表面。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻率 触点 互连 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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