[发明专利]石英晶体微天平浓度监测在审
申请号: | 202180037573.X | 申请日: | 2021-04-30 |
公开(公告)号: | CN115698374A | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
发明(设计)人: | 杰雷德·温克勒;莫希特·弗尔吉斯 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C16/448 | 分类号: | C23C16/448;C23C16/455;C23C16/52;G01N29/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 描述一个安装在加热样品腔室内的石英晶体微天平(QCM)装置。样品腔室的温度维持成比前驱物容器的温度高约10℃至约30℃。样品腔室连接到前驱物输送管线,并包括高温阀和与高温阀前流(foreline)的流路,以允许去除多余的材料。QCM装置包括加热器和气体冷却通道,从而使装置可维持在比前驱容器的温度低约10℃至约30℃的温度下。 | ||
搜索关键词: | 石英 晶体 天平 浓度 监测 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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