[发明专利]贴合晶圆用支撑基板在审
| 申请号： | 202180039914.7 | 申请日： | 2021-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN115668449A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 涩谷正太;稗田大辅;石崎宽章 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘茜璐;吕传奇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种贴合晶圆用支撑基板，其为用于将活性层用基板（13）与支撑基板（23）隔着绝缘膜（11）贴合而成的贴合晶圆（30）的支撑基板（23），具备支撑基板主体（20）和堆积在支撑基板主体（20）的贴合面侧的多晶硅层（22），多晶硅层（22）的晶粒尺寸为0.419μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 贴合 晶圆用 支撑 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
