[发明专利]固态成像元件及其制造方法在审
申请号: | 202180040376.3 | 申请日: | 2021-12-10 |
公开(公告)号: | CN115699318A | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
发明(设计)人: | 大岛典彦;野崎涉 | 申请(专利权)人: | 凸版印刷株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B1/113;G02B1/115;G02B5/20 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 常海涛;金小芳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 固态成像元件具备:基板;排列在基板上的多个光电转换元件;排列在多个光电转换元件的上方、使入射到多个光电转换元件的光透过的滤光片部;配置在滤光片部的上方的多个透镜;以从外侧包围滤光片部的平面视图的外缘的方式配置的树脂层;以及形成在多个透镜和树脂层上的防反射膜。防反射膜具有覆盖树脂层的平面视图的外周部的外周膜,外周膜具有在树脂层的厚度方向上具有凹凸的凹凸形状,外缘的至少一部分比树脂层更突出在外侧。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的