[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 202180046868.3 | 申请日: | 2021-06-30 |
公开(公告)号: | CN115735280A | 公开(公告)日: | 2023-03-03 |
发明(设计)人: | 萩野勇志;合田健太 | 申请(专利权)人: | 株式会社电装 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 吕文卓 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在主单元区域(Rm)及感测单元区域(Rs)中形成有具有相同构造的纵型MOSFET的半导体装置中,感测单元区域被规定为将作为感测单元而形成的半导体开关元件的工作区域包围的四边形的区域,将与该主单元区域的一个方向、具体而言栅极布线层(8)的较长方向相同方向的尺寸设为横向尺寸,将与该横向尺寸垂直的方向的尺寸设为纵向尺寸,纵向尺寸为横向尺寸以上。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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