[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法、基板处理方法以及程序

摘要

基板处理装置具有：第1喷嘴，其与使所述多张基板在反应管内排列的基板排列区域中的供多个产品基板排列的第1区域相对应地配置，向反应管内供给含氢气体；第2喷嘴，其与第1区域相对应地配置，向反应管内供给含氧气体；第3喷嘴，其与比第1区域靠底开口侧的、供虚设基板或者隔热体排列的第2区域相对应地配置，向反应管内供给稀释气体；以及控制部，其构成为能够控制从第1喷嘴供给的含氢气体的供给和从第3喷嘴供给的稀释气体的供给，以使得第2区域的含氢气体浓度比第1区域的含氢气体浓度低，第1喷嘴由多根多孔喷嘴构成，该多根多孔喷嘴具有与在基板的排列方向上将包括第1区域但不包括第2区域的区域分割而成的分割区域相对应的喷射孔。