[发明专利]聚硅氮烷、含有它的硅质膜形成用组合物以及使用它制造硅质膜的方法在审
| 申请号： | 202180052359.1 | 申请日： | 2021-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN115989281A | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 黑川正路;石井雅弘;冈村聪也 | 申请（专利权）人： | 默克专利有限公司 |
| 主分类号： | C08L83/16 | 分类号： | C08L83/16 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 | 代理人： | 刘卓然 |
| 地址： | 德国达*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
[问题]本发明提供即使在含臭氧环境下也能够抑制膜厚变化和空隙的聚硅氮烷和包含该聚硅氮烷的硅质膜形成用组合物。[解决手段]一种含有N‑Si键的聚硅氮烷，其中，具有3个N‑Si键的N原子的数量(NA |
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| 搜索关键词： | 聚硅氮烷 含有 质膜 形成 组合 以及 使用 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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