[发明专利]半导体器件的制造方法、半导体制造装置的清洗方法及清洗液的清洁度的测量方法在审
申请号: | 202180053293.8 | 申请日: | 2021-07-30 |
公开(公告)号: | CN115989561A | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 大津晓彦;河田幸寿;室祐继;吉留正洋;上村哲也;西塔亮 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 薛海蛟 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种更简便地管理包含有机溶剂的药液的纯度的半导体器件的制造方法及半导体制造装置的清洗方法以及清洗液的清洁度的更简便的测量方法。半导体器件的制造方法具有:工序1,使振子与以有机溶剂为主成分的药液接触,以获得由于药液的接触导致的振子的共振频率的变化量;工序2,确认药液的共振频率的变化量是否包含在基于预先设定的药液的纯度的共振频率的变化量的允许范围内;及工序3,将在工序2中确认的药液使用于半导体器件的制造中。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 半导体 装置 清洗 清洁 测量方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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