[发明专利]半导体器件的制造方法、半导体制造装置的清洗方法及清洗液的清洁度的测量方法在审

专利信息
申请号: 202180053293.8 申请日: 2021-07-30
公开(公告)号: CN115989561A 公开(公告)日: 2023-04-18
发明(设计)人: 大津晓彦;河田幸寿;室祐继;吉留正洋;上村哲也;西塔亮 申请(专利权)人: 富士胶片株式会社
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 薛海蛟
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种更简便地管理包含有机溶剂的药液的纯度的半导体器件的制造方法及半导体制造装置的清洗方法以及清洗液的清洁度的更简便的测量方法。半导体器件的制造方法具有:工序1,使振子与以有机溶剂为主成分的药液接触,以获得由于药液的接触导致的振子的共振频率的变化量;工序2,确认药液的共振频率的变化量是否包含在基于预先设定的药液的纯度的共振频率的变化量的允许范围内;及工序3,将在工序2中确认的药液使用于半导体器件的制造中。
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法 半导体 装置 清洗 清洁 测量方法
【主权项】:
暂无信息
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