[发明专利]具有非易失性阈值电压偏移补偿的低功率低温CMOS电路在审
| 申请号： | 202180054859.9 | 申请日： | 2021-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN116158004A | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | D·J·赖利 | 申请（专利权）人： | 微软技术许可有限责任公司 |
| 主分类号： | H03K19/195 | 分类号： | H03K19/195 |
| 代理公司： | 北京世辉律师事务所 16093 | 代理人： | 吕世磊 |
| 地址： | 美国华*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了与具有非易失性阈值电压偏移补偿的低功率低温CMOS电路相关的系统和方法。一种系统(700)包括被配置为在低温环境(300K)中操作的多个器件(760)，其中与多个器件(760)相关联的阈值电压的第一分布具有第一值，该第一值指示阈值电压的扩展度测量。该系统(700)还包括控制逻辑(712,714)，其被耦合到多个器件(760)中的每个器件，该控制逻辑被配置为修改(714out)与多个器件(760)中的每个器件相关联的阈值电压，使得第一分布被改变为第二分布，该第二分布具有阈值电压的扩展度测量的第二值，该第二值表示多个器件的阈值电压之间的较低变化。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 非易失性 阈值 电压 偏移 补偿 功率 低温 cmos 电路 | ||
【主权项】：
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