[发明专利]磁阻抗传感器元件在审
| 申请号： | 202180055984.1 | 申请日： | 2021-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN116034648A | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 山本道治;山下隆介;板渊史刊;立松峻一 | 申请（专利权）人： | 爱知制钢株式会社 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 张黎;王刚 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 磁阻抗传感器元件(1)具有电磁特性根据从外部作用的磁场而变化的磁感应体(2)以及卷绕于磁感应体(2)的检测线圈(3)，构成为：通过在磁感应体(2)中通脉冲电流或高频电流，从而从检测线圈(3)输出与作用于磁感应体(2)的磁场的强度对应的电压。磁感应体(2)具有第一磁感应部(21)和第二磁感应部(22)，脉冲电流或高频电流在第一磁感应部与第二磁感应部中彼此反向流动。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 传感器 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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