[发明专利]层叠体的制造方法、层叠体和半导体封装的制造方法在审
申请号: | 202180057710.6 | 申请日: | 2021-07-30 |
公开(公告)号: | CN116133847A | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
发明(设计)人: | 山田和夫 | 申请(专利权)人: | AGC株式会社 |
主分类号: | B32B17/10 | 分类号: | B32B17/10 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 赵青 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种层叠体的制造方法,该制造方法具有如下工序:形成前体层叠体的工序,该前体层叠体依次具有第1玻璃基板、热固化性树脂层、和平均热膨胀系数比上述第1玻璃基板大的第2玻璃基板;对前体层叠体实施加热处理,一边使第1玻璃基板和第2玻璃基板膨胀一边使热固化性树脂层热固化而得到树脂层的工序;以及,将实施了热固化处理的前体层叠体冷却而得到具有翘曲的层叠体的工序。 | ||
搜索关键词: | 层叠 制造 方法 半导体 封装 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于AGC株式会社,未经AGC株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202180057710.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:对预配置的上行链路资源的时序提前验证增强
- 下一篇:非水电解质二次电池