[发明专利]用于培育单晶的方法在审
| 申请号： | 202180065954.9 | 申请日： | 2021-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN116324051A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | K·阿里亚旺;G·巴伯尔;R·艾伯纳;熊治勇 | 申请（专利权）人： | 艾伯纳工业炉公司 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 俄旨淳 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于特别是由碳化硅培育单晶的设备，所述设备包括坩埚，所述坩埚限定外周面并且此外还界定具有在底部部段与开口部段之间的轴向延伸的容纳腔，所述容纳腔构造成用于培育单晶，其中，所述设备具有至少一个籽晶层(507)，其特征在于，所述籽晶层(405、507)由多个籽晶板(507a、507b、507c)马赛克式地组装而成。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 培育 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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