[发明专利]具有集成式温度传感器及加热器的体声波装置在审
| 申请号： | 202180070136.8 | 申请日： | 2021-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN116349012A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | K·S·马丁;严廷达 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种声波装置包含位于衬底(110)上方的第一电极(141)。压电膜(150)位于所述第一电极(141)上方且与所述第一电极(141)至少部分地重叠。第二电极(161)位于所述压电膜(150)上方且与所述第一电极(141)及所述压电膜(150)至少部分地重叠。温度传感器(165)与所述第一或第二电极(141、161)位于同一层级中。加热器(145)也可与所述第一电极(141)位于同一层级中。闭环系统可使用所述温度传感器(165)及所述加热器(145)操作以维持提供高度稳定操作的操作温度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 集成 温度传感器 加热器 声波 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
