[发明专利]漂移和噪声校正的忆阻器件在审
申请号: | 202180075252.9 | 申请日: | 2021-11-04 |
公开(公告)号: | CN116507880A | 公开(公告)日: | 2023-07-28 |
发明(设计)人: | G·S·塞耶德;B·克斯廷;A·塞巴斯蒂安 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | G01C13/00 | 分类号: | G01C13/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 酆迅 |
地址: | 美国纽*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种忆阻器存储器器件(100),包括忆阻式存储器单元(102)、输入端子(104)、输出端子(108)和栅极端子(112)。输入端子(104)和输出端子(108)直接附接到忆阻式存储器单元(102),并且栅极端子(112)与忆阻式存储器单元(102)电隔离。栅极端子(112)被配置成用于接收用于忆阻式存储器单元(102)的电导的易失性调制的电信号,通过该易失性调制,实现了忆阻器存储器器件(100)的非理想电导调制的校正。 | ||
搜索关键词: | 漂移 噪声 校正 器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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