[发明专利]漂移和噪声校正的忆阻器件在审

专利信息
申请号: 202180075252.9 申请日: 2021-11-04
公开(公告)号: CN116507880A 公开(公告)日: 2023-07-28
发明(设计)人: G·S·塞耶德;B·克斯廷;A·塞巴斯蒂安 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: G01C13/00 分类号: G01C13/00
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 酆迅
地址: 美国纽*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种忆阻器存储器器件(100),包括忆阻式存储器单元(102)、输入端子(104)、输出端子(108)和栅极端子(112)。输入端子(104)和输出端子(108)直接附接到忆阻式存储器单元(102),并且栅极端子(112)与忆阻式存储器单元(102)电隔离。栅极端子(112)被配置成用于接收用于忆阻式存储器单元(102)的电导的易失性调制的电信号,通过该易失性调制,实现了忆阻器存储器器件(100)的非理想电导调制的校正。
搜索关键词: 漂移 噪声 校正 器件
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司,未经国际商业机器公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202180075252.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top