[发明专利]多层相变存储器件在审
| 申请号： | 202180076346.8 | 申请日： | 2021-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN116529823A | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | K·W·布里;玉仁祚;韩金萍;T·M·菲利普;M·J·布莱特斯基;N·索尔尼尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 边海梅 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种相变存储器(PCM)单元，包括：第一电极，包括第一导电材料；第二电极，包括第二导电材料；第一相变层，位于所述第一电极与所述第二电极之间并且包括第一相变材料；以及第二相变层，位于所述第一电极与所述第二电极之间并且包括第二相变材料。第一相变材料具有第一电阻率，第二相变材料具有第二电阻率，并且其中第一电阻率是第二电阻率的至少两倍。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 相变 存储 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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