[发明专利]低噪声压电传感器在审
| 申请号： | 202180077142.6 | 申请日： | 2021-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN116615917A | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | R·J·利特尔;C·科尔 | 申请（专利权）人： | 高通科技公司 |
| 主分类号： | H04R17/02 | 分类号： | H04R17/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 张宁;姚宗妮 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种诸如压电声学换能器等低噪声压电传感器包括第一导电层、第二导电层以及在第一导电层与第二导电层之间的压电层。压电层包括钪含量大于15％的氮化铝钪(AlScN)，其中钪含量和铝含量构成100％的氮化铝钪。以这种方式，压电层(或包括压电层的传感器)实现了小于约0.1％的耗散因子。 | ||
| 搜索关键词： | 噪声 压电 传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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