[发明专利]使用静态磁场的等离子体均匀性控制在审
| 申请号： | 202180078309.0 | 申请日： | 2021-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN116472598A | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 阿列克谢·马拉赫塔诺夫;季兵;肯·卢彻斯;约翰·霍兰德 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种对晶片进行等离子体处理的系统，其包括：室，其被配置为接收晶片以进行等离子体处理并且具有限定等离子体处理区域的内部，在所述等离子体处理区域中提供等离子体以对所述晶片进行所述等离子体处理；第一磁性线圈，其被设置在所述室上方并以垂直于所述晶片的表面平面且穿过所述晶片的近似中心的轴为中心；第一直流电源，其被配置为在所述等离子体处理期间将第一直流电流施加到所述第一磁性线圈，所施加的所述第一直流电流在所述等离子体处理区域中产生减少所述等离子体不均匀性的磁场。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 静态 磁场 等离子体 均匀 控制 | ||
【主权项】：
暂无信息
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