[发明专利]使用堆叠的N型和P型纳米片的具有互补电容匹配的NCFET在审
| 申请号： | 202180080239.2 | 申请日： | 2021-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN116569321A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 安藤崇志;R·维加;池澄;P·阿杜萨米利 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种负电容场效应晶体管(NCFET)器件(100)。该NCFET器件包括衬底(102)和形成在该衬底上的晶体管堆叠结构(PFET，NFET)。该纳米片堆叠结构包括PFET区域和NFET区域，该PFET区域包括pWF金属层堆叠(124)并且该NFET区域包括nWF金属层堆叠(126)。该NCFET器件还包括形成在晶体管堆叠结构上的电介质界面层(122)，该电介质界面层包括金属诱发的氧空位，并且该电介质界面层形成在晶体管堆叠结构的一部分上。该NCFET器件还包括形成在该电介质界面层上的顶部电极(130)。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 堆叠 纳米 具有 互补 电容 匹配 ncfet | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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