[发明专利]气体分析装置及气体分析方法在审
| 申请号： | 202180080365.8 | 申请日： | 2021-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN116569022A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 坂口有平;南雅和;渋谷享司;高桥基延 | 申请（专利权）人： | 株式会社堀场STEC;株式会社堀场制作所 |
| 主分类号： | G01N21/3504 | 分类号： | G01N21/3504 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周爽;金玉兰 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明能够高精度地测定半导体制造工艺所用的材料气体或因半导体制造工艺所产生的副生成气体所含的卤化物的浓度或分压，气体分析装置对半导体制造工艺所用的材料气体或因半导体制造工艺而产生的副生成气体所含的卤化物的浓度或分压进行分析，并具备：气体池，其导入有材料气体或副生成气体；激光光源，其向气体池照射经波长调制的激光；光检测器，其检测透过气体池的激光；以及信号处理部，其使用由光检测器的输出信号所得的光吸收信号来计算出卤化物的浓度或分压，气体池减压至比大气压小的预定的压力，激光光源在包含卤化物的光吸收信号的特征部在内的波长调制范围对所述激光进行波长调制。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 分析 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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