[发明专利]相变存储器单元在审
| 申请号： | 202180081316.6 | 申请日： | 2021-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN116635937A | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 玉仁祚;鲍如强;A·H·西蒙;K·布里;N·索尔尼尔;I·R·萨拉夫;M·桑卡拉潘迪恩;S·麦合塔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 边海梅 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体结构(100)，包括：由电介质层(114)包围的加热器(116)；在加热器(116)的顶部部分上的投射衬垫(124)；在投射衬垫(124)上方的相变材料层(126)；以及包围相变材料层(126)的顶部的顶部电极触点(136)。投射衬垫可覆盖加热器(116)的顶表面。投射衬垫(124)可以将相变材料层(126)与第二电介质层和加热器(116)分隔开。投射衬垫(124)可以在相变材料层(126)的结晶相(126a)和无定形相(126b)中提供平行的传导路径。顶部电极触点(136)可以通过金属衬垫(134)与相变材料层(126)分隔开。半导体结构(100)可包括在加热器(116)下方并与加热器(116)电接触的底部电极(110)和在相变材料层(126)上方并与相变材料层(126)电接触的顶部电极(128)。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 单元 | ||
【主权项】：
暂无信息
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