[发明专利]磁畴壁移动元件、磁阵列和磁畴壁移动元件的制造方法在审
| 申请号： | 202180082105.4 | 申请日： | 2021-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN116569676A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 山田章悟;柴田龙雄 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/80;H10N50/01;H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;池兵 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实施方式的磁畴壁移动元件包括：磁阻效应元件，其具有参照层、磁畴壁移动层和非磁性层，参照层和磁畴壁移动层包含铁磁性体；和分别与磁畴壁移动层直接或间接地接触的、彼此隔开间隔的第一磁化固定层和第二磁化固定层，第一磁化固定层具有：与磁畴壁移动层接触的第一区域；最靠近第一区域的非磁性的第一中间层；和与第一中间层接触的第二区域，第一区域具有与第一中间层接触的第一铁磁性层，第二区域具有与第一中间层接触的第二铁磁性层，第一铁磁性层和第二铁磁性层铁磁性耦合，第一区域中最靠近磁畴壁移动层的铁磁性层的膜结构与第二磁化固定层中最靠近磁畴壁移动层的铁磁性层的膜结构相同，第一区域的膜结构与第二区域的膜结构不同。 | ||
| 搜索关键词： | 磁畴壁 移动 元件 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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