[发明专利]MEMS凸片移除方法在审
| 申请号： | 202180082920.0 | 申请日： | 2021-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN116601107A | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 李大成;A·卡斯伯森 | 申请（专利权）人： | 应美盛股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 樊云飞;陈哲锋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种方法，其包括对设置在第一管芯和第二管芯之间的凸片区的区域进行凸片划切。凸片区在结构上将第一管芯连接至第二管芯，第一管芯与第二管芯各自包括与CMOS器件共晶接合的MEMS器件。凸片区包括设置在熔融接合氧化物层之上的处理晶圆层，该熔融接合氧化物层设置在ACT层上。凸片区位于CMOS凸片区上方，其与第一和第二管芯形成其中的空腔。凸片划切切割穿过处理晶圆层，并留下在处理晶圆层下方的熔融接合氧化物层的一部分，从而在凸片区内形成氧化物系链。氧化物系链将凸片区维持在适当的位置并且维持在CMOS凸片区上方。在对第一区进行凸片划切之后，移除凸片区。 | ||
| 搜索关键词： | mems 凸片移 方法 | ||
【主权项】：
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