[发明专利]对已知畸变器的电磁畸变校正在审

专利信息
申请号: 202180084403.7 申请日: 2021-12-13
公开(公告)号: CN116648209A 公开(公告)日: 2023-08-25
发明(设计)人: B·W·雅各布森;V·D·斯奈德;R·帕尔;A·J·沃德;S·哈特曼 申请(专利权)人: 美敦力导航股份有限公司
主分类号: A61B34/20 分类号: A61B34/20
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陈颖;周全
地址: 美国科*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本文公开了用于校正在EM跟踪系统的一个或多个EM跟踪器中的每个EM跟踪器处测量的经历的EM场的系统和方法,因为此类测量受到已知畸变器的影响。EM发射器可传输EM场,使得该EM场包含该一个或多个EM跟踪器。该系统然后确定畸变器在该EM场内的姿态。该系统从每个EM跟踪器接收表示经历的EM场的数据,该经历的EM场被由该畸变器引起的畸变场畸变。该系统继续使用该姿态和包括该畸变器的一个或多个特性的模型来确定该畸变场。该系统可首先优化该模型。该系统基于每个相应经历的EM场和在相同位置处的所确定的畸变场来计算表示对应的经校正的经历的EM场的数据。
搜索关键词: 已知 畸变 电磁 校正
【主权项】:
暂无信息
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