[发明专利]半导体结构、半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202210004678.1 | 申请日： | 2022-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN114334621B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 魏峰;相奇 | 申请（专利权）人： | 广东芯粤能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/28;H01L21/306;H01L21/308;H01L29/78 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 511458 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构、半导体器件及其制备方法。半导体结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底内形成初始凹槽，初始凹槽内具有尖锐拐角；对初始凹槽进行平滑处理，以去除尖锐拐角，得到具有光滑内壁的沟槽。在上述半导体结构的制备方法中，通过将初始凹槽中的尖锐拐角进行平滑处理，可以去除所有尖锐拐角，形成具有光滑内壁的沟槽，从而可以防止电场线在尖锐拐角处集中，避免出现局部电场强度过高从而击穿介电层的情况，提高半导体结构的可靠性。并且，与尖锐拐角相比，光滑的沟槽内壁对电流通路具有明显的扩展作用，降低了导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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