[发明专利]一种屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202210008434.0 | 申请日： | 2022-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN114496755A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 颜树范 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78;G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法，属于半导体器件及制造领域。该方法包括：在屏蔽栅厚介质层形成后，通过等高度的光刻胶形成出屏蔽栅多晶硅生成区域，光刻胶去除后其位置淀积形成屏蔽栅多晶硅，同时，屏蔽栅厚介质层上方紧贴沟槽侧壁处淀积形成栅多晶硅，从而在不增加光刻过程情况下一步淀积完成屏蔽栅多晶硅和栅多晶硅，减少了多晶硅的淀积次数，以解决相关技术中光刻次数较多带来的成本问题；此外，新结构与新工艺下，减少了屏蔽栅多晶硅和栅多晶硅这两层多晶硅之间的交叠电容，进而降低了输入电容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 屏蔽 mosfet 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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